型号:MT5VDDT1672HG-265F3 | 类别:存储器 - 模块 | 制造商:Micron Technology Inc |
封装:200-SODIMM | 描述:MODULE DDR2 128MB 200SODIMM |
详细参数
类别 | 存储器 - 模块 |
---|---|
描述 | MODULE DDR2 128MB 200SODIMM |
系列 | - |
制造商 | Micron Technology Inc |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 128MB |
速度 | 266MT/s |
特点 | - |
封装/外壳 | 200-SODIMM |
供应商
深圳市芯宇华航科技有限公司 | 张先生18025408677 |
深圳市芯宇华航科技有限公司 | 江小姐+86 18025419171 |
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MT5VDDT1672HG-265F3相关型号
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1206(3216 公制)
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功率,高于 2 安
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径向,Can - SMD
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1206(3216 公制)
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MODULE DDR2 512MB 244-DIMM
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芯片电阻 - 表面安装
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0603(1608 公制)
RES 270K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08AMCBBH2-12:B
存储器
Micron Technology Inc
100-TBGA
IC FLASH NAND 64GB 100TBGA
- HF365/64SF
扁平带
3M
CABLE 64COND RIBBON LT GRY 25FT
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功率,高于 2 安
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1206(3216 公制)
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1206(3216 公制)
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- MCR03EZPJ2R4
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CAP ALUM 1000UF 35V 20% SMD
- MT5VDDT1672HY-335F3
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Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR 128MB 200-SODIMM
- MCR18EZHF20R5
芯片电阻 - 表面安装
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1206(3216 公制)
RES 20.5 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ304
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603(1608 公制)
RES 300K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F8G08ABABAWP:B
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
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- HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206(3216 公制)
FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206